De alta temperatura de 128MB de memoria Flash NOR Downhole la perforación de Memoria flash Memoria para el sistema de MWD

No. de Modelo.
LHM128MB/LHM256MB
Color
Gold
Función
USB Disk Storage
Control de seguridad
Seguridad Soporte Check
Paquete de Transporte
Box
Especificación
15.5 x 21.6 /2.54 mm
Marca Comercial
ZITN
Origen
Qingdao, China.
Código del HS
8523511000
Capacidad de Producción
20000
Precio de referencia
$ 504.00 - 558.00

Descripción de Producto

128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System

descripción de producto

 

128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System
Resistencia a altas temperaturas de Memoria Flash NOR
LHM128MB /256 MB


LHM 128/256MB es una de alta temperatura y alta fiabilidad ni la memoria universal operada por la interfaz serie SPI. Puede funcionar en el duro entorno de en -45 ºC -200 ºC durante un largo tiempo.

Rango de temperatura de funcionamiento: en -45 ºC ~ +200 ºC (borrado : 15 º ~ 85 ºC )
Corriente de funcionamiento máxima: 50mA escribir; 40mA leer.
Corriente de reposo:
< 100 µa

Voltaje Vcc (V): 2.7 V ~ 3,6 V
De alto nivel de entrada de voltaje (V): 0.8Vcc ~ Vcc+0.3   
Bajo nivel de entrada de voltaje (V): -0.3~0 .2VCC
Nivel alto de la salida de voltaje (V): 2.4 ~ Vcc
Bajo nivel de salida de voltaje (V): -0.3~0 .4VCC
Leer + la velocidad de escritura: 5MB/s para lectura y escritura de 128KB/s
Paquete: DIP de 16 pines PB free

 

parametros de producto

Tema No. El rango de tensión La estructura Polo
LHM128MB 2.7~3.6V 128m x 8bit Moje16
LHM256MB 2.7~3.6V 256m x 8bit Moje16

Polo Descripción:
 

128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System
128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System

Paquetes:

128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System
128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System

Lista de instrucciones:
Nombre de instrucción Código de instrucciones
Habilitar Escritura 0 x06
Escritura de datos 0 x12
Lectura de datos 0 x13
Leer el estado 0 x05
Leer el estado 2 0 x2B
Leer la configuración 0 x15.
Activar el producto 0 x B7
Borrar 0 x21
Habilitación de RESET 0 x66
Instrucciones de RESET 0 x99
Notas:
  1. Registro de estado de lectura antes de operar, para asegurar que el producto está en el estado correspondiente.
  2. Después de escribir el comando incorrecto, el producto entra en modo de espera hasta el próximo CS# no canto, los F*_SO pin en el estado de impedancia.
  3. Después de corregir el mando de escritura, el producto que procesa el estado especificado hasta CS# flanco viene.
  4. Los datos de entrada está cerrada en el flanco de la F*_SCK y desvió la salida en el borde de caída.
  5. Establecer el modo de habilitación antes de operar el producto.
  6. Bytes es la unidad mínima de operación de datos.

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Perfil de empresa

ZITN nacional es una empresa de alta tecnología, se estableció en 2002 por muchos de los ingenieros de alta tecnología que tienen amplia experiencia en la industria microelectrónica. Con 19 años de desarrollo, ZITN se convirtió en un reconocido líder del sector en China, y tenemos el total de 175 empleados, más del 49% de ellos son de la . Principalmente nos diseño, desarrollo y fabricación de alta precisión inclinómetro, base de cuarzo acelerómetros, sistemas de unidades de medición inercial, si el circuito y los productos de memoria flash NAND, que ampliamente utilizados para la industria aeroespacial, la perforación de petróleo y gas, la exploración geológica campos.
128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System

 

Nuestras ventajas

Un. Experiencia en el híbrido de película gruesa IC &sensores de alta gama para el desarrollo y fabricación de los campos más de 19 años.
B. Patentes de Invención más de 40 proyectos.
C. Institución científica, base de producción de más de 20000 metros cuadrados.
D. Más del 49% de los empleados son de la I+D equipo.
E. Los nuevos clientes de cooperantes recientemente1000 en más de 3 años.
F. capacidad de producción más de 100000/año.
G. Pre-venta profesional, después de la guía de ventas, las soluciones puede ser proporcionado en función de los clientes investigaciones.
H. .



El volumen en miniatura ! La tecnología creativa independiente!
A partir de la servo-producción de circuitos a assmble los sensores en one-stop .


128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System

Embalaje y envío

Personalizar el cuadro anti-estática.
A través de la entrega express (DHL, Fedex, TNT, UPS, etc...).
fecha de entrega dentro de 7-10 días después del envío desde nuestra fábrica.

128MB High Temperature Nor Flash Memory Downhole Drilling Memory Flash Memory for Mwd System

 

Preguntas frecuentes

¿Qué tipo de servicio pueden proporcionar?
Excepto el modelo stanadrd, también nos puede proporcionar los productos acordes con los clientes requisitos detallados, como la calibración, reparación, actualización, etc...


¿Qué tipo de prueba del producto se hará antes de salir de su fábrica?
Tenemos un estricto sistema de control de calidad para garantizar el rendimiento del producto, tales como la no-magnético Sistema de calibración de tornamesa, shock y sistema de pruebas de vibración, temperatura del sistema de prueba del ciclo etc...


Puedo obtener una muestra para su evaluación?
Sí, estamos dispuestos a proporcionar la muestra para la evaluación y de guía para cualquier techical preguntas en todo el proceso.

¿Qué opciones de entrega: ¿Puedo elegir?
Podemos proporcionar el servicio de entrega express de la compañía aérea , como DHL o FEDEX y TNT Express, normalmente 7- 10 días para el transporte es necesario.

Puedo visitar su empresa si estoy interesado?
Sí, nuestra empresa se localiza en la ciudad de Qingdao, tenemos más de 175 empleados, incluido el R&D, producción, Finanzas, Marketing, etc...



 

Memoria USB/FLASH

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